（1）過(guò)壓擊穿
       單向可控硅不能承受電壓而損壞，單向可控硅對(duì)過(guò)壓的承受能力幾乎沒(méi)有時(shí)間的，即使在幾毫秒的短時(shí)間內(nèi)過(guò)壓也會(huì)被擊穿。過(guò)壓擊穿特征：芯片中有一個(gè)光潔的小孔。檢查單向可控硅兩端RC吸收回路是否有燒壞或失效的，即可避免干擾脈沖所引起的瞬間過(guò)壓。
      （ 2）過(guò)流擊穿
       電流超過(guò)額定電流，并在單向可控硅芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱效應(yīng)，使芯片溫度升高，失效且不能恢復(fù)。過(guò)流擊穿特征：電子元器件表面有燒焦現(xiàn)象，痕跡特征是芯片出現(xiàn)坑洞。選擇可控硅耐壓2~3倍。

      （3）過(guò)熱擊穿
       工作電流并不超過(guò)單向可控硅額定電流的情況下而發(fā)生的熱擊穿。特征：電子元器件表面有燒焦現(xiàn)象，痕跡特征是芯片出現(xiàn)坑洞。注意環(huán)境溫度，保持單向可控硅與散熱器之間的接觸面良好。
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